Aluminium nitride (ALN) adalah jenis bahan keramik baru dengan sifat komprehensif yang sangat baik. Ini memiliki konduktivitas termal yang sangat baik, isolasi listrik yang andal, konstanta dielektrik rendah dan kehilangan dielektrik, tidak beracun, dan koefisien ekspansi termal yang kompatibel dengan silikon. Rangkaian karakteristik yang sangat baik dianggap sebagai bahan yang ideal untuk substrat semikonduktor yang sangat terkonsentrasi dan kemasan batang keramik kaca elektronik.
Konduktivitas termal aluminium nitrida adalah 5 hingga 10 kali lipat dari bahan substrat tradisional aluminium oksida, yang dekat dengan konduktivitas termal berilium oksida. Konduktivitas termal substrat AL2O3 rendah, dan koefisien ekspansi termal tidak terlalu kompatibel dengan Si. Meskipun BEO memiliki kinerja komprehensif yang sangat baik, biaya produksinya yang lebih tinggi dan kekurangan yang sangat beracun membatasi penerapan dan promosinya. Dibandingkan dengan beberapa bahan keramik lainnya, keramik aluminium nitrida memiliki sifat komprehensif yang sangat baik dan sangat cocok untuk substrat semikonduktor dan kemasan struktural. Potensi bahan dalam industri elektronik sangat besar.
Keramik presisi keras, divisi keramik canggih adalah pemasok bahan keramik terkemuka. Kami memasok produk keramik nitrida aluminium dengan spesifikasi yang sangat baik dan harga yang kompetitif.
Aluminium nitride adalah bahan keramik dengan kinerja keseluruhan flensa keramik yang sangat baik, dan konduktivitas termal 7 kali lebih tinggi dari keramik alumina. Pada saat yang sama, ia memiliki konstanta dielektrik rendah, sifat listrik yang sangat baik dibandingkan dengan alumina, laju ekspansi termal mirip dengan silikon, kekuatan spesifik tinggi, kepadatan rendah, tidak beracun dan karakteristik lainnya. Karena pengembangan teknologi mikroelektronika, komponen elektronik berkonsentrasi pada miniaturisasi, cahaya, integrasi, keandalan tinggi, output daya tinggi, dll. Perangkat yang lebih kompleks memiliki persyaratan yang lebih tinggi untuk disipasi panas substrat dan bahan enkapsulasi. Situasi ini lebih lanjut mempromosikan perkembangan substrat keramik AIN yang berkembang. Artikel berikut akan memperkenalkan proses substrat AIN dari bubuk hingga membentuk aplikasi ke akhir.
Selama persiapan bubuk aluminium nitrida, kemurniannya, ukuran partikel, kandungan oksigen, dan kandungan pengotor lainnya akan menjadi faktor dampak pada konduktivitas termal berikutnya dari produk, dan proses sintering dan pembentukan berikutnya, dan juga merupakan faktor kunci dalam kinerja dalam kinerja tersebut produk akhir. Ain Powder disintesis dengan metode nitriding langsung, metode reduksi termal karbon, metode sintesis suhu tinggi yang mempropagasi sendiri, metode pengendapan uap kimia, dll. Sebagai produsen profesional, proses persiapan bahan baku kami biasanya memilih metode pembentukan reduksi termal karbon, itu, itu, itu, itu, bahwa itu, bahwa itu, itu, proses pembentukan reduksi termal karbon, itu, itu, itu, itu, bahwa itu memilih metode pengurangan termal karbon termal karbon, adalah, campuran bubuk alumina dan bubuk karbon dikurangi menjadi nitrida dalam nitrogen yang mengalir pada suhu tinggi (1400 ℃ ~ 1800 ℃) untuk membentuk bubuk AIN.
1. Sintering tekanan panas: yaitu sintering keramik di bawah tekanan tertentu, Anda dapat secara bersamaan memanaskan sintering dan pembentukan bertekanan, untuk mendapatkan biji -bijian halus, kepadatan relatif tinggi, dan sifat mekanik yang baik dari keramik.
2. Sintering tanpa tekanan: Kisaran suhu umum tekanan atmosfer sintering dan keramik adalah 1600-2000 ℃. Dengan tepat meningkatkan suhu sintering dan memperpanjang waktu penahanan, dapat meningkatkan kepadatan keramik AIN, tetapi kekuatannya relatif rendah.
3. Microwave Sintering: Sintering gelombang mikro juga merupakan metode sintering yang cepat, penggunaan interaksi gelombang mikro dengan media untuk menghasilkan kehilangan dielektrik sehingga panas keseluruhan.
4. DUHAT PLASMA SINTERING: Mengintegrasikan aktivasi plasma keramik kaca machinable, penekanan panas, pemanasan resistensi, dan teknologi lainnya, ia memiliki karakteristik kecepatan sintering cepat dan ukuran butir yang seragam, tetapi biaya peralatannya tinggi, dan ukuran dari yang diproses benda kerja terbatas.
5. Sintering propagasi diri: #Ain bahan keramik disiapkan secara langsung dengan propagasi diri sintesis suhu tinggi reaksi di bawah nitrogen yang sangat bertekanan tinggi. Namun, sulit untuk mendapatkan substrat keramik ALN dengan kepadatan tinggi karena aluminium nitrida dalam bahan baku cenderung meleleh di bawah reaksi pembakaran suhu tinggi, yang menghambat penetrasi nitrogen ke dalam billet.
Untuk mencapai sintering padat #Alnceramicsubstrate , mengurangi kotoran dan konten fase batas butir, menyederhanakan proses dan mengurangi biaya, proses sintering ALN keramik membutuhkan tiga elemen inti: 1. Pemilihan proses sintering yang sesuai; 2. Kontrol atmosfer; dan 3. Penambahan alat bantu sintering yang sesuai.